Citazione:
Orginalmente inviato da mfsaul
Ma se utilizzassi direttamente un Mos power a canale N, tipo IRFZ44N che è pilotabile al gate anche con 5V e mettessi il carico tra source e massa avrei le stesse problematiche che con il bjt o sbaglio?
Se utilizzassi il Bjt avrei che alla base gli devo fornire una Vb > (Vbe + VLoad) se mettessi il carico tra emettitore e massa.
Nel mosfet il ragionamento è simile?
|
Sì, il problema sarebbe lo stesso. Supponiamo che la tua tensione di alimentazione sia +12V. Se usi un transistor bipolare NPN per pilotare il carico verso massa, la tensione sull'emettitore, quando il transistor è acceso, sarebbe circa +12V-Vcesat=+12V-0,3V = 11,7V circa. La tensione sulla base del transistor dovrebbe essere quindi Ve+Vbe=11,7V+0,65V=12,35V quindi dovresti usare, sulla base, una tensione ancora maggiore di quella di alimentazione del circuito.
Con i MOSFET a canale N è la stessa cosa: se il mosfet conduce con una Vgs di 5V, allora il gate andrebbe pilotato con una tensione di 17V per portarlo in conduzione. Cosa molto scomoda.
E' per questo che per fare un pilotaggio "
high-side" si preferisce usare un transistor PNP (che però avrà sempre una caduta Vcesat con conseguente grande dissipazione su carichi importanti) o un Mosfet a canale P (che in piena conduzione avrà una dissipazione minore di un bjt).
30-07-2010, 15.38.14
Modalità lineare
Discussioni simili